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VISHAY SILICONIX - SIS376DN-T1-GE3 - MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts - SIS376DNT1GE3
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SIS376DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIS376DN-T1-GE3
制造商型号： SIS376DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.7 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
封装:Reel
下降时间:7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :50 S
栅极电荷 Qg:16.5 nC
功率耗散:33 W
上升时间:9 ns
典型关闭延迟时间:16 ns
零件号别名:SIS376DN-GE3

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