PDF查询| 数据列表 | SIRA18DP |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET?Gen IV |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 15.5A （Ta）， 33A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 14.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 其它名称 | SIRA18DP-T1-GE3TR SIRA18DPT1GE3 |
