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VISHAY SILICONIX - SIR866DP-T1-GE3 - MOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V - SIR866DPT1GE3
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SIR866DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SIR866DP-T1-GE3
制造商型号： SIR866DP-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:20.5 mOhms
配置:Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
封装:Reel
下降时间:49 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :78 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:5.4 W
上升时间:23 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:66 ns
零件号别名:SIR866DP-GE3

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SIR866DP-T1-GE3
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