型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIR166DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
数据列表 | SIR166DP |
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产品相片 | SIR166DP-T1-GE3 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 40A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.2 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 77nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3340pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 48W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
其它名称 | SIR166DP-T1-GE3TR SIR166DPT1GE3 |