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Vishay Siliconix - SIJ400DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L - SIJ400DPT1GE3
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SIJ400DP-T1-GE3|Vishay Siliconix
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SIJ400DP-T1-GE3
制造商型号: SIJ400DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SIJ400DP
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)26.3A (Ta), 32A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7765pF @ 15V
功率 - 最大值69.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商器件封装PowerPAK? SO-8

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