VISHAY SILICONIX - SIHP22N60E-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A TO-220AB - SIHP22N60EE3
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SIHP22N60E-E3
- 场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A TO-220AB - SIHP22N60EE3
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SIHP22N60E-E3
制造商型号:
SIHP22N60E-E3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A TO-220AB
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A TO-220AB
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 21A
漏源电压, Vds: 600V
在电阻RDS(上): 0.15ohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 227W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (Not Applicable)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
电压, Vgs 最高: 30V
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SIHP22N60E-E3
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型号: SIHP22N60E-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A TO-220AB
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Q Q:
800152669
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