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VISHAY SILICONIX - SIHP12N60E-GE3 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 12A TO220AB - SIHP12N60EGE3
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SIHP12N60E-GE3|VISHAY SILICONIX
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SIHP12N60E-GE3
制造商型号： SIHP12N60E-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 600V 12A TO220AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 600V 12A TO220AB
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 0.32ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 147W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220AB
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 电压, Vgs 最高: 30V

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