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VISHAY SILICONIX - SIHB22N60E-GE3 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A D2PAK - SIHB22N60EGE3
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SIHB22N60E-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIHB22N60E-GE3
制造商型号： SIHB22N60E-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 600V 21A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟??? 600V 21A D2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 21A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • ??电阻RDS（上）: 0.15ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 227W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 电压, Vgs 最高: 30V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SIHB22N60E-GE3
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