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VISHAY SILICONIX - SIE810DF-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PolarPAK - SIE810DFT1E3
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SIE810DF-T1-E3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIE810DF-T1-E3
制造商型号： SIE810DF-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N PolarPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N PolarPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 236A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 1.4mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.3V
  • 功耗, Pd: 125W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PolarPAK
  • 针脚数: 10
  • 功耗, Pd: 125mW
  • 器件标号: 810
  • 封装/箱盒: PolarPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 90nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 60A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs 最高: 1.3V
  • 电流, Idm 脉冲: 100A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 1.4mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 2.7mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 1.6mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.8V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2V
产地： CN China

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SIE810DF-T1-E3
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