VISHAY SILICONIX - SIA915DJ-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70 - SIA915DJT1GE3
库存查询
网站首页
公司简介
制造商索引
产品索引
人才招聘
联系我们
您现在的位置:
首页
>
制造商索引
>
VISHAY SILICONIX
-
SIA915DJ-T1-GE3
- 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70 - SIA915DJT1GE3
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存
50个仓库,1500万条库存数据任选
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIA915DJ-T1-GE3
制造商型号:
SIA915DJ-T1-GE3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -4.5A
漏源电压, Vds: -30V
在电阻RDS(上): 0.071ohm
电压 @ Rds测量: -10V
功耗, Pd: 6.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SC-70
针脚数: 6
功耗, Pd: 6.5W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双
漏源电压 Vds, P沟道: -30V
连续漏极电流 Id, P沟道: -4.5A
通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.071ohm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SIA915DJ-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息: 暂无相关型号
询价
*所需产品:
型号: SIA915DJ-T1-GE3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
类似产品
SIA914DJ-T1-GE3
VISHAY
双通道 N 沟道 20 V 0.053 Ohm 6.5 W 表面贴装 功率 MOSFET -PowerPAK SC-70-6L
SIA914DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA915DJ-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 4.5A PPK SC70
SIA917DJ-T1-E3
VISHAY SILICONIX
MOSFET 20V 4.5A 6.5W
SIA917DJ-T1-GE3
VISHAY
MOSFET 20V 4.5A 6.5W 110mohm @ 4.5V
电话:400-900-3095 邮箱:
sales@szcwdz.com
QQ:
800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司
www.szcwdz.cn
粤ICP备11103613号