PDF查询| 数据列表 | SIA417DJ |
|---|---|
| 产品相片 | Pkg 5934 |
| 特色产品 | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 19W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SIA417DJ-T1-GE3TR SIA417DJT1GE3 |
