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VISHAY SILICONIX - SI8817DB-T2-E1 - MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III - SI8817DBT2E1
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SI8817DB-T2-E1|VISHAY SILICONIX
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SI8817DB-T2-E1
制造商型号： SI8817DB-T2-E1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 20 V
闸/源击穿电压:8 V
漏极连续电流:- 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:76 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:MICRO FOOT 0.8 x 0.8
封装:Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :5 S
栅极电荷 Qg:7.5 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:0.9 W
系列:TrenchFET
商标名:P-Channel Gen III

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