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VISHAY SILICONIX - SI8469DB-T2-E1 - MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 - SI8469DBT2E1
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SI8469DB-T2-E1|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI8469DB-T2-E1
制造商型号： SI8469DB-T2-E1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 8 V
闸/源击穿电压:+/- 5 V
漏极连续电流:- 4.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:64 mOhms
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Micro Foot-4
封装:Reel
功率耗散:1.8 W

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