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VISHAY SILICONIX - SI8425DB-T1-E1 - MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III - SI8425DBT1E1
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SI8425DB-T1-E1|VISHAY SILICONIX
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SI8425DB-T1-E1
制造商型号： SI8425DB-T1-E1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 20 V
闸/源击穿电压:- 0.9 V
漏极连续电流:- 9.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:23 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:MICRO FOOT 1.6 x 1.6
封装:Reel
下降时间:200 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :18 S
栅极电荷 Qg:110 nC
功率耗散:2.7 W
上升时间:50 ns
商标名:MICROFOOT TrenchFET
典型关闭延迟时间:600 ns

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