PDF查询| 数据列表 | SI8424CDB |
|---|---|
| 产品相片 | 4-UFBGA, WLCSP |
| 特色产品 | N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.3A （Ta）， 10A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 2A， 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2340pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，WLCSP |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8424CDB-T1-E1TR SI8424CDBT1E1 |
