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| SI8407DB-T2-E1 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 8.2A 2.9W 27mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI8407DB-T2-E1 [更多] | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.8A（Ta） 1.47W（Ta） 6-Micro Foot? 型号：SI8407DB-T2-E1 仓库库存编号：SI8407DB-T2-E1CT-ND 别名：SI8407DB-T2-E1CT <br>SI8407DBT2E1 <br> |  | 搜索 |
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 | Siliconix / Vishay P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 型号：SI8407DB-T2-E1 仓库库存编号：70026296 |  | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SI8407DB |
|---|---|
| 产品相片 | 6-Micro Foot |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5.8A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 27 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 350µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.47W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-MICRO FOOT?CSP |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot? |
| 其它名称 | SI8407DB-T2-E1TR |
