| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 数据列表 | SI7983DP |
|---|---|
| 产品相片 | PowerPAK SO-8 Pkg |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7.7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 17 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 74nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI7983DP-T1-E3TR |
