数据列表 | SI7784DP |
---|---|
产品相片 | PowerPAK SO-8 Pkg |
特色产品 | N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET? |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 27.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
产品目录页面 | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7784DP-T1-GE3TR SI7784DPT1GE3 |