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VISHAY SILICONIX - SI7456DP-TI-GE3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 - SI7456DPTIGE3
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SI7456DP-TI-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI7456DP-TI-GE3
制造商型号： SI7456DP-TI-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.7A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 8.8ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 1.9W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PowerPAK SO
  • 针脚数: 8
  • 功耗, Pd: 1.9W
  • 功耗, Pd: 1.9W
  • 器件标记: SI7456DP
  • 外宽: 6.2mm
  • 外部深度: 5.26mm
  • 外部长度/高度: 1.2mm
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 44nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 5.7A
  • 热阻, 结点至外壳A: 1.8°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 40A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 通态电阻最大值: 25mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
产地： CN China

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