| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI7423DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI7423DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SI7423DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7423DN-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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| SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SI7423DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8 型号：SI7423DN-T1-GE3 仓库库存编号：SI7423DN-T1-GE3-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SI7423DN |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7.4A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18 毫欧 @ 11.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 |
