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VISHAY SILICONIX - SI6552DQ-T1 - MOSFET 20V/12V - SI6552DQT1
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SI6552DQ-T1
制造商型号: SI6552DQ-T1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 20V/12V
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Vishay
RoHS:
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:20 V, - 12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:+/- 2.8 A, +/- 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):-
配置:Dual Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSSOP-8
封装:Reel
下降时间:66 ns, 35 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :12 S, 7 S
栅极电荷 Qg:16 nC, 9 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1 W
上升时间:66 ns, 35 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:56 ns, 43 ns

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