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VISHAY SILICONIX - SI6543DQ-T1-GE3 - MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V - SI6543DQT1GE3
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SI6543DQ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI6543DQ-T1-GE3
制造商型号: SI6543DQ-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:3.9 A, 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):-
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSSOP-8
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1 W
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:18 ns, 14 ns
零件号别名:SI6543DQ-GE3

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