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VISHAY SILICONIX - SI6542DQ-T1 - MOSFET 20V 2.5/1.9A - SI6542DQT1
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SI6542DQ-T1
制造商型号： SI6542DQ-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 2.5/1.9A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
RoHS:否
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:+/- 2.5 A, +/- 1.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Dual Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSSOP-8
封装:Reel
下降时间:6 nS, 6 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :5 S, 3 S
栅极电荷 Qg:7 nC, 7 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1 W
上升时间:11 nS, 12 nS
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:16 nS, 17 nS

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