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VISHAY SILICONIX - SI5975DC-T1 - MOSFET 12V 4.1A 2.1W - SI5975DCT1
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SI5975DC-T1|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI5975DC-T1
制造商型号： SI5975DC-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 12V 4.1A 2.1W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:3.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:86 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
封装:Reel
下降时间:20 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
上升时间:20 ns
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:31 ns

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