型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5935CDC-T1-E3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 8-Pin Chip FET T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI5935CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET? 型号:SI5935CDC-T1-E3 仓库库存编号:SI5935CDC-T1-E3-ND | 无铅 |
数据列表 | SI5935CDC |
---|---|
产品相片 | Pkg 5547 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 3.1A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 455pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET? |