PDF查询| 数据列表 | SI5519DU |
|---|---|
| 产品相片 | SI5519DU-T1-GE3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6A，4.8A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 36 毫欧 @ 6.1A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 660pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.27W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? ChipFet 双 |
| 其它名称 | SI5519DU-T1-GE3TR SI5519DUT1GE3 |
