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VISHAY SILICONIX - SI5447DC - 场效应管 MOSFET P 1206-8 - SI5447DC
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SI5447DC|VISHAY SILICONIX
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SI5447DC
制造商型号： SI5447DC
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET P 1206-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P 1206-8
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 4.8A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS（上）: 160mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -450mV
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: 1206
  • 针脚数: 8
  • SMD标号: BG
  • 封装/箱盒: 1206-8 ChipFET
  • 封装类型, 其它: ChipFET
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 栅极电荷 Qg P沟道: 6.5nC
  • 漏极电流, Id 最大值: -3.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
  • 电压, Vds: 20V
  • 电压, Vds 典型值: -20V
  • 电压, Vgs 最高: -8V
  • 电流, Idm 脉冲: 15A
  • 通态电阻 @ Vgs = 1.8V: 160mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 110mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 76mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: -1.8V
产地： CN China

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