数据列表 | SI4913DY |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.1A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 15 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 500µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品目录页面 | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI4913DY-T1-E3TR SI4913DYT1E3 |