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VISHAY SILICONIX - SI4886DY - 场效应管 MOSFET N SO-8 - SI4886DY
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SI4886DY|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI4886DY
制造商型号： SI4886DY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 9.5A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 10mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 800mV
  • 功耗, Pd: 1.56W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 上升时间: 5ns
  • 下降时间: 18ns
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, t off: 42ns
  • 时间, t on: 14ns
  • 晶体管数: 1
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 14.5nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 9.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 50A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 10mohm
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 13.5mohm

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