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Vishay Siliconix - SI4825DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC - SI4825DYT1GE3
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SI4825DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC 查看库存、价格及货期
SI4825DY-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4825DY-T1-GE3
制造商型号: SI4825DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 Si4825DY
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)14 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
产品目录页面1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI4825DY-T1-GE3TR

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI4825DY-T1-GE3
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