VISHAY SILICONIX - SI4752DY-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N沟道 带肖特基带二极管 30V 25A 8-SOIC - SI4752DYT1GE3
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- 场效应管 MOSFET N沟道 带肖特基带二极管 30V 25A 8-SOIC - SI4752DYT1GE3
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SI4752DY-T1-GE3
制造商型号:
SI4752DY-T1-GE3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 带肖特基带二极管 30V 25A 8-SOIC
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 带肖特基带二极管 30V 25A 8-SOIC
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 25A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 4500μohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 3W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 17.4A
电压, Vgs 最高: 20V
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
SI4752DY-T1-GE3
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型号: SI4752DY-T1-GE3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 带肖特基带二极管 30V 25A 8-SOIC
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