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Vishay Siliconix - SI4484EY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 8-SOIC - SI4484EYT1GE3
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SI4484EY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 6.9A 3.8W 34mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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SI4484EY-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI4484EY-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
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Vishay Siliconix - SI4484EY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO

型号:SI4484EY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4484EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-GE3CT
SI4484EYT1GE3
无铅
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MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
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SI4484EY-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4484EY-T1-GE3
制造商型号: SI4484EY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SI4484EY
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)34 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称SI4484EY-T1-GE3TR

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