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SI4484EY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 6.9A 3.8W 34mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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SI4484EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO 型号:SI4484EY-T1-GE3 仓库库存编号:SI4484EY-T1-GE3CT-ND 别名:SI4484EY-T1-GE3CT SI4484EYT1GE3 | 无铅 |
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数据列表 | SI4484EY |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.8A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 34 毫欧 @ 6.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | SI4484EY-T1-GE3TR |