| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 19.2A 5.9W 8.8mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Other transistors
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4483ADY-T1-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4483ADY-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, P CH, -30V, -19.2A, SOIC
| 搜索 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0127OHM, -19.
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | P-CH MOSFET SO-8 30V 8.5MOHM @ 10V ESD PROTECTED RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 19.2A 5.9W 8.8mohm @ 10V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 19.2A（Tc） 2.9W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO 型号：SI4483ADY-T1-GE3 仓库库存编号：SI4483ADY-T1-GE3CT-ND 别名：SI4483ADY-T1-GE3CT | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SI4483ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SI4483ADY |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 19.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.8 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3900pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 5.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SI4483ADY-T1-GE3TR SI4483ADYT1GE3 |
