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VISHAY SILICONIX - SI4467DY - MOSFET 12V 12A 2.5W - SI4467DY
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 12A 2.5W

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SI4467DY
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ON Semiconductor

MOSFET SO8 SINGLE PCH

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SI4467DY-T1
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 12A 2.5W

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 12A 2.5W

RoHS: Compliant

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SI4467DY-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 12A 2.5W

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SI4467DY
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild Semiconductor Corporation

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13.5 A, 20 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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SI4467DY
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Vishay Siliconix

13.5 A, 20 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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Microsemi Corporation

13.5 A, 20 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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Fairchild Semiconductor
MOSFET SO8 SINGLE PCH
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VISHAY SILICONIX
MOSFET 12V 12A 2.5W
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VISHAY SILICONIX
MOSFET 12V 12A 2.5W
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无图SI4467DY-T1-E3
VISHAY SILICONIX
MOSFET 12V 12A 2.5W
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SI4467DY|Fairchild SemiconductorSI4467DY
Fairchild Semiconductor
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SI4467DY-T1-E3|VISHAY SILICONIXSI4467DY-T1-E3
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SI4467DY|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4467DY
制造商型号: SI4467DY
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 12V 12A 2.5W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:12 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):11 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
下降时间:230 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2.5 W
上升时间:60 ns
工厂包装数量:100
典型关闭延迟时间:470 ns

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