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VISHAY SILICONIX - SI4442DY-T1 - MOSFET 30V 22A 3.5W - SI4442DYT1
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SI4442DY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

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SI4442DY-T1
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 22A 3.5W

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MOSFET 30V 22A 3.5W

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MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V

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MOSFET 30V 22A 3.5W

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SI4442DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4442DY-T1-E3)

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SI4442DY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4442DY-T1-GE3)

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N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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Vishay Intertechnologies

N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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N-CH MOSFET SO-8 30V 4.5MOHM @

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Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

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30V N-CH @2.5V

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30V N-CH @2.5V

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Vishay Siliconix

MOSFET, 30V N-Channel @2.5V

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SI4442DY-T1 VISHAY SILICONIX MOSFET 30V 22A 3.5W 查看库存、价格及货期
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Vishay Siliconix - SI4442DY-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO

型号:SI4442DY-T1-E3
仓库库存编号:SI4442DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4442DY-T1-E3CT <br>

无铅
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Vishay Siliconix - SI4442DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO

型号:SI4442DY-T1-GE3
仓库库存编号:SI4442DY-T1-GE3-ND

无铅
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Siliconix / Vishay - SI4442DY-T1-E3 - 30V N-Channel @2.5V MOSFET|70026220 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET; 30V N-Channel @2.5V


型号:SI4442DY-T1-E3
仓库库存编号:70026220

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无图SI4442DY-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 30V 22A 3.5W
Rohs

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SI4442DY-T1-E3|VISHAYSI4442DY-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 30 V 0.0045 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI4442DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI4442DY-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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SI4442DY-T1-E3|VISHAYSI4442DY-T1-E3
VISHAY
单 N 沟道 30 V 0.0045 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
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SI4442DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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SI4442DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4442DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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SI4442DY-T1|VISHAY SILICONIXSI4442DY-T1
VISHAY SILICONIX
MOSFET 30V 22A 3.5W
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SI4442DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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SI4442DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4442DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
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SI4442DY-T1|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4442DY-T1
制造商型号: SI4442DY-T1
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET 30V 22A 3.5W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Vishay
RoHS:
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:22 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
封装:Reel
下降时间:11 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.6 W
上升时间:11 ns
工厂包装数量:2500
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:125 ns

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