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Vishay Siliconix - SI3529DV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP - SI3529DVT1GE3
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SI3529DV-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI3529DV-T1-GE3
制造商型号: SI3529DV-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SI3529DV
产品相片 Pkg 5540
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.5A,1.95A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)125 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)205pF @ 20V
功率 - 最大值1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商器件封装6-TSOP

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