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Vishay Siliconix - SI3407DV-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 6-TSOP - SI3407DVT1E3
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SI3407DV-T1-E3|Vishay Siliconix
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SI3407DV-T1-E3
制造商型号: SI3407DV-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 20V 6-TSOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 SI3407DV
产品相片 Pkg 5540
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Ta), 8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1670pF @ 10V
功率 - 最大值4.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商器件封装6-TSOP

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI3407DV-T1-E3
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