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VISHAY SILICONIX - SI2366DS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 5.8A SOT23 - SI2366DST1GE3
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SI2366DS-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI2366DS-T1-GE3
制造商型号： SI2366DS-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 5.8A SOT23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 5.8A SOT23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.8A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 0.03ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 2.1W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

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