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Vishay Siliconix - SI2316BDS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 - SI2316BDST1GE3
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SI2316BDS-T1-GE3|Vishay Siliconix
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SI2316BDS-T1-GE3
制造商型号: SI2316BDS-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SI2316BDS
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)50 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)350pF @ 15V
功率 - 最大值1.66W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
产品目录页面1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDST1GE3

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