| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2304BDS-T1-GE3) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2304BDS-T1-GE3/BKN) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY | 单通道 N 沟道 30 V 0.07 Ohm 0.75 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOT-23-3  | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI2304BDS-T1-GE3 | 1690264 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236 (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY | 单通道 N 沟道 30 V 0.07 Ohm 0.75 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOT-23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） 型号：SI2304BDS-T1-GE3 仓库库存编号：SI2304BDS-T1-GE3CT-ND 别名：SI2304BDS-T1-GE3CT | 无铅 |
PDF查询| 数据列表 | Si2304BDS |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 70 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 225pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 750mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SI2304BDS-T1-GE3TR SI2304BDST1GE3 |
