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VISHAY SILICONIX - SI1901DL-T1 - MOSFET 20V 0.18A - SI1901DLT1
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SI1901DL-T1
制造商型号： SI1901DL-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 0.18A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
RoHS:否
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 20 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:- 180 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）:3.8 Ohms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363
封装:Reel
下降时间:25 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:0.2 W
上升时间:25 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:19 ns

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