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VISHAY SILICONIX - SI1563EDH-E3 - MOSFET 20V 1.28/1.0 - SI1563EDHE3
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SI1563EDH-E3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SI1563EDH-E3
制造商型号： SI1563EDH-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 1.28/1.0
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:1.28 A, - 1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363-6
封装:Reel
下降时间:210 nS, 850 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :2.6 S, 1.5 S
栅极电荷 Qg:0.65 nC, 1.2 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:570 mW
上升时间:85 nS, 480 nS
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:350 nS, 840 nS

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