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VISHAY SILICONIX - SI1443EDH-T1-GE3 - MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III - SI1443EDHT1GE3
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SI1443EDH-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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SI1443EDH-T1-GE3
制造商型号: SI1443EDH-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 30 V
闸/源击穿电压:12 V
漏极连续电流:4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):54 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363 (SC-70-6)
封装:Reel
下降时间:420 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :14 S
栅极电荷 Qg:18.5 nC
功率耗散:2.8 W
上升时间:64 ns
典型关闭延迟时间:1800 ns
零件号别名:SI1443EDH-GE3

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