PDF查询| 数据列表 | IRFIB8N50K |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 350 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 89nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2160pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 45W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIB8N50K |
