数据列表 | IRFD220 |
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产品相片 | IRFD9010PBF |
产品目录绘图 | IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 800mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 800 毫欧 @ 480mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 260pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRFD220PBF |