型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFBG20L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Ta) I2PAK 型号:IRFBG20L 仓库库存编号:IRFBG20L-ND 别名:*IRFBG20L | 含铅 |
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标准包装 | 50 |
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类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 11 欧姆 @ 840mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 54W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | *IRFBG20L |