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Vishay Siliconix - 2N7002-E3 - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 - 2N7002E3
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2N7002-E3
库存编号:2N7002-E3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA TO2360
1起订
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¥10.1
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2N7002-E3
库存编号:2N7002-E3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA TO2360
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2N7002-T1-E3
库存编号:2N7002-T1-E3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 60V 0.115A 0.2W0
1起订
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2N7002-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 0.115A 0.2W

RoHS: Compliant

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2N7002-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 0.115A

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2N7002-E3
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Vishay Intertechnologies

2N7002 Series N-Channel 60 V 7.5 Ohm 0.2 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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2N7002-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET, N-CHANNEL 60V 7.5R, SOT23 PKG

RoHS: Compliant

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2N7002-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 0.115A 0.2W

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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2N7002-T1-E3.
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 0.115A 0.2W

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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2N7002-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 查看库存、价格及货期
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2N7002-E3|VISHAY2N7002-E3
VISHAY
2N7002 系列 N 沟道 60 V 7.5 Ohm 0.2 W 表面贴装 Mosfet - SOT-23-3
Rohs

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无图2N7002-E3
VISHAY
2N7002 系列 N 沟道 60 V 7.5 Ohm 0.2 W 表面贴装 Mosfet - SOT-23-3
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2N7002-E3|Vishay Siliconix2N7002-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
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2N7002-E3|Vishay Siliconix2N7002-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
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Vishay Siliconix - 2N7002-E3 - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236

型号:2N7002-E3
仓库库存编号:2N7002-E3CT-ND
别名:2N7002-E3CT <br>

无铅
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Siliconix / Vishay - 2N7002-E3 - SOT23 PKG N-CHANNEL 60V 7.5R MOSFET|70026136 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET, N-CHANNEL 60V 7.5R, SOT23 PKG


型号:2N7002-E3
仓库库存编号:70026136

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Siliconix / Vishay - 2N7002-E3/BKN - SOT23 PKG N-CHANNEL 60V 7.5R MOSFET|70026318 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
MOSFET, N-CHANNEL 60V 7.5R, SOT23 PKG


型号:2N7002-E3/BKN
仓库库存编号:70026318

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2N7002-E3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2N7002-E3
制造商型号: 2N7002-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
产品相片 SOT-23-3
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)115mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)50pF @ 25V
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236
其它名称2N7002-E3-ND
2N7002-E3TR

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: 2N7002-E3
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: 2N7002-E3
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