VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLD110PBF - 场效应管 MOSFET N HEXDIP - IRLD110PBF
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
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IRLD110PBF
制造商型号:
IRLD110PBF
制造商:
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N HEXDIP
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N HEXDIP
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 1A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS(上): 540mohm
电压 @ Rds测量: 5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
功耗, Pd: 1.3W
封装类型: DIP
针脚数: 4
功耗, Pd: 1.3W
功耗, Pd: 1.3W
封装/箱盒: HEXDIP
漏极电流, Id 最大值: 1A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 5V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 10V
电流, Idm 脉冲: 8A
表面安装器件: 通孔
产地: PH Philippines
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
IRLD110PBF
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型号: IRLD110PBF 品牌: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N HEXDIP
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800152669
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