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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFS9N60APBF - 场效应管 MOSFET P D2-PAK - IRFS9N60APBF
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IRFS9N60APBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFS9N60APBF
制造商型号： IRFS9N60APBF
制造商： VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET P D2-PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET P D2-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 9.2A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 750mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 170W
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚???: 3
  • SMD标号: 9N60A
  • 功耗, Pd: 170W
  • 功耗, Pd: 170W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 290mJ
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 封装类型, 其它: D2-PAK
  • 时间, trr 典型值: 530ns
  • 漏极电流, Id 最大值: 9.2A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
  • 电压, Vds 典型值: 600V
  • 电压, Vgs 最高: 30V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1400pF
  • 电流, Idm 脉冲: 37A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: -2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: -4V
产地： MX Mexico

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFS9N60APBF
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