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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFD110PBF - 场效应管 MOSFET N DIL - IRFD110PBF
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IRFD110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFD110PBF
制造商型号： IRFD110PBF
制造商： VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N DIL
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N DIL
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS???上）: 540mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: DIP
  • 针脚数: 4
  • MSL: (Not Applicable)
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 器件标记: IRFD110PBF
  • 封装/箱盒: DIP
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 引脚节距: 2.54mm
  • 排距: 7.62mm
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 8A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
产地： US United States

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFD110PBF
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